三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺，与TC NCF相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。经过测试，该公司得出结论，MUF不适用于高带宽内存(HBM)，但非常适合3DS RDIMM，而目前3DS RDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造，主要用于服务器。